Quasi tutto ciò che può essere letto introduce il carburo di silicio: il carburo di silicio ha una spaziatura di banda di 2,8 volte quella del silicio (gap di banda larga) e 3,09 volt di elettroni. La sua intensità di campo di rottura dielettrica è 5,3 volte quella del silicio, fino a 3,2 MV / cm. La sua conduttività termica è 3,3 volte quella del silicio, che è 49w / cm.k. I diodi Schottky e i transistor a effetto di campo MOS in carburo di silicio hanno un ordine di grandezza più sottile rispetto agli stessi dispositivi al silicio resistenti alla tensione. La concentrazione di impurità può essere di due ordini di grandezza di silicio. Pertanto, l'impedenza per unità di superficie del dispositivo al carburo di silicio è solo un centesimo di quella del dispositivo al silicio. La sua resistenza alla deriva è quasi uguale alla piena resistenza del dispositivo. Pertanto, il potere calorifico del dispositivo al carburo di silicio è estremamente basso. Ciò aiuta a ridurre le perdite di conduzione e commutazione e la frequenza operativa è in genere più di 10 volte superiore rispetto ai dispositivi al silicio. Inoltre, i semiconduttori in carburo di silicio hanno una resistenza alle radiazioni intrinsecamente forte. Negli ultimi anni, dispositivi di potenza come gli IGBT (transistor bipolari a gate isolato) realizzati con materiali in carburo di silicio sono stati utilizzati in processi come la sottoiniezione di minoranza per ridurre l'impedenza nello stato a un decimo di quella dei tradizionali dispositivi al silicio. Inoltre, il dispositivo in carburo di silicio stesso ha una piccola generazione di calore, e quindi il dispositivo in carburo di silicio ha un'eccellente conducibilità termica. Inoltre, i dispositivi di potenza in carburo di silicio possono funzionare a temperature elevate di 400 ° C. Può controllare grandi correnti con piccoli dispositivi. Anche la tensione operativa è molto più alta. https://www.hshightec.com/
